Le projet VERTIGO vise à développer des transistors de puissance en nitrure AlGaN en géométrie verticale. La filière actuelle pour les transistors de puissance en GaN repose sur des HEMT latéraux où la montée en tension est obtenue en espaçant grille et drain, au détriment de la densité de courant et de puissance. En outre, ces composants latéraux sont forcément sensibles aux

phénomènes de surface. La géométrie verticale permet de gagner en densité de courant, et la montée en tension (le projet vise 1200 V, avec des puces d’un calibre de 50 A) est obtenue avec des couches plus épaisses. Enfin, la montée en fréquence est permise par les mobilités importantes que le projet visera en travaillant sur le canal de conduction et en exploitant toute la richesse des hétérostructures. Le projet vise une forte augmentation (x10) de la mobilité électronique par rapport aux résultats actuels publiés dans le domaine.